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Nuevos datos de la memoria RAM DDR5: el doble de rápida y llegada a partir de 2019

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Nuevos datos de la memoria RAM DDR5: el doble de rápida y llegada a partir de 2019

Los módulos de memoria RAM DDR5 están cada vez más cerca, y por fin empezamos a tener datos concretos sobre sus capacidades, así como una fecha aproximada para que empiecen a llegar primero a los servidores y después a los ordenadores domésticos. Las DDR5 empezarán a llegar durante 2019, y serán hasta el doble de rápidas que las DDR4.

El Joint Electronic Devices Engineering Council (JEDEC) es el organismo de normalización responsable de regular los estándares globales para la industria de la microelectrónica. Todavía no no ha finalizado un estándar de la industria para la memoria DDR5, pero ya sabemos algunos datos mientras el primer fabricante anuncia tener un prototipo funcional.

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¿Necesitas RAM? Las nuevas estaciones de trabajo HPZ8 te permiten instalar 3 TB (con "te") en ellas

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¿Necesitas RAM? Las nuevas estaciones de trabajo HPZ8  te permiten instalar 3 TB (con "te") en ellas

Un PC o portátil convencional suele contar con 4, 8 o 16 GB de memoria RAM instalados. Las cantidades se han ido incrementando lenta pero inexorablemente, pero este es un apartado en el que es raro necesitar más de los 32 GB que montan algunos usuarios algo más exigentes.

Esa cantidad, no obstante, se queda pequeña cuando hablamos de las poderosas estaciones de trabajo HP Z8, que cuenta con una opción para instalar hasta 3 TB de memoria RAM. No hablamos de gigabytes, no: hablamos de terabytes. ¿Quién puede necesitar tal monstruo?

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Cuando la frontera en el mundo de la informática eran los 640K

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Cuando la frontera en el mundo de la informática eran los 640K

Cuenta la leyenda que en 1981 Bill Gates dijo que "640K deberían ser suficientes para cualquiera". Él mismo negó más tarde haberlo dicho, y lo cierto es que no hay pruebas claras de que lo hiciera. Lo que sí existió desde luego fue ese límite para los programadores de los viejos IBM PC, y la barrera la impuso la propia IBM, dominadora absoluta del mercado en la época.

Aquel límite definió toda una generación de ordenadores. Una que empezaba a tratar de separar la informática "de juguete" de los ordenadores de 8 bits convencionales de esos IBM PC que con procesadores como el Intel 8086 o el 8088 quiso demostrar que, efectivamente, 640K serían todo lo que el mundo necesitara. Al menos durante un tiempo.

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El almacenamiento atómico deja (parcialmente) en ridículo a cualquier disco duro actual

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El almacenamiento atómico deja (parcialmente) en ridículo a cualquier disco duro actual

Un grupo de investigadores de la Universidad de Delft ha logrado desarrollar un dispositivo de almacenamiento a escala atómica en el que es posible almacenar 500 Tbits por pulgada cuadrada, una cifra asombrosa que deja atrás a cualquier sistema de almacenamiento actual.

Este "disco duro atómico" podría almacenar todos los libros escritos por los seres humanos en el tamaño de un sello postal, y aunque aún queda trabajo por delante, apunta a un futuro en el que este tipo de sistemas podría dejar definitivamente atrás a las tecnologías de almacenamiento actuales, aunque aún hay una desventaja importante: la velocidad de lectura y escritura.

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¿Módulos de 128 GB DDR4 de RAM? Ya son una realidad y vendrán de la mano de Samsung

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¿Módulos de 128 GB DDR4 de RAM? Ya son una realidad y vendrán de la mano de Samsung

Todavía tardarás en poder empezar a verlas en tu ordenador portátil o de sobremesa, pero los módulos de 128 gigabytes de memoria RAM DDR4 ya son una realidad. Vendrán de la mano de Samsung, que ha anunciado que ha empezando a fabricarlos en masa pensando no tanto en los equipos domésticos como en los servidores empresariales.

Estos módulos utilizan la tecnología de conexión through silicon via o TSV, que conecta verticalmente los chips DRAM mediante electrodos que penetran en cientos de pequeños orificios en vez de a través de cables. Samsung ya utilizó esta tecnología el año pasado para sus módulos de 64 gigas, y este año dobla su capacidad para ofrecerle mayores velocidades y una mejor eficiencia a las empresas.

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Tu próximo smartphone podría tener 6 GB de RAM, Samsung prepara el camino

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Tu próximo smartphone podría tener 6 GB de RAM, Samsung prepara el camino

Los tres o cuatro gigabytes de memoria RAM en un teléfono móvil eran pura ciencia ficción hace sólo dos o tres años, pero hoy estamos más que acostumbrados a estas cantidades. Pero esto podría no ser nada en comparación con lo que podremos tener en nuestros manos dispositivos dentro de otros dos o tres años más.

Samsung está preparándose para el próximo gran salto evolutivo de la multitarea en nuestros teléfonos, y por eso ha anunciado que ha empezado a producir sus nuevos chips de 12 gigabits LPDDR4 DRAM basados en su tecnología de 20 nm, doblando con este progreso la capacidad de los actuales chips de 6 gigabits.

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Crucial ya tiene la DDR4 preparada y enviada (a los fabricantes)

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Crucial ya tiene la DDR4 preparada y enviada (a los fabricantes)

Una de las grandes innovaciones que tendremos este 2014 será la memoria DDR4, sobre la que llevamos bastantes años hablando. Las fechas se van cerrando para que a finales del año ya esté disponible en una lista de equipos inicialmente muy restringida (servidores, puede que quizá también ciertos equipos domésticos), pero que irá creciendo con los meses.

Crucial es el último en confirmar que ya tiene preparada su DDR4, y que de hecho ya la ha enviado a los partners para que la evalúen y prueben en sus respectivos equipos. Los porcentajes de mejora propuestos por Crucial respecto de la actual generación DDR3 repite una vez más lo que ya han confirmado otros fabricantes, como Kingston, han mencionado, yendo incluso más allá: el doble de ancho de banda para las DDR4 de servidores que actualmente está desarrollando la compañía, indicando un salto desde 8,5 GB/s hasta los 17 GB/s de los nuevos modelos.

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Así es la DDR4 de Kingston que veremos este año

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Así es la DDR4 de Kingston que veremos este año

DDR4 está muy cerca. Tanto como para pensar que a finales de año ya empezará a llegar al mercado. En principio para plataformas muy selectas (suenan Intel Broadwell y un poco más tarde también AMD Carrizo), como esperábamos, aunque con el aterrizaje de todos los grandes fabricantes de memoria RAM.

Hace unos días tuvimos una primera toma de contacto con módulos prototipo de DDR4. Sin poder probar su rendimiento 'real', si no charlando sobre las características técnicas que esta nueva generación de RAM de Kingston traerá al mercado, así como algún dato curioso.

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HyperX Fury, las nuevas memorias RAM de Kingston

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HyperX Fury, las nuevas memorias RAM de Kingston

Kingston va a empezar una fuerte remodelación de su imagen y empiezan con el lanzamiento de una nueva familia de memorias RAM: las Kingston HyperX Fury llegan al mercado para suceder a las que antes denominábamos HyperX Blue y que llevan un par de años en las tiendas.

HyperX Fury no traen cambios significativos en lo relativo a las especificaciones técnicas. Son múltiples modelos de módulos DDR3, a saber: módulos individuales de 4 u 8 GB o kits de dos unidades para un total de 8 o 16 GB. Habrá tres gamas diferenciadas según las frecuencias de funcionamiento de las memorias, a elegir entre 1.333, 1.600 y con un máximo de 1.866 MHz., con lo que podéis suponer que Fury continuará siendo la gama de entrada en la familia HyperX.

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No es DDR4, pero la nueva NAND de 20 nanómetros de Samsung apunta a ella

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No es DDR4, pero la nueva NAND de 20 nanómetros de Samsung apunta a ella

No presenta grandes novedades respecto de la tecnología que conocemos y que está disponible en el mercado, pero no está de más mencionarla pensando de cara a lo que está por llegar. Samsung, como uno de los principales fabricantes de memoria del mercado, continúa progresando en el desarrollo de chips NAND y ha anunciado la fabricación de módulos de 20 nanómetros, asegurando que ya han entrado en un ritmo de producción masiva y que pronto entrarán en el mercado los primeros productos finales.

NAND de 20 nanómetros que continúa siendo DDR3, en vez de la DDR4 que tal vez podríamos esperar como 'gran' novedad en estos tiempos. Samsung afirma que los 20 nanómetros han traído una mayor eficiencia respecto de anteriores generaciones y también un significativo ahorro energético de hasta el 25% respecto de la anterior de 25 nanómetros. Novedades lógicas y que siempre se cumplen con cada evolución en todo tipo de chips.

Mucho más interesante se vuelve la cosa cuando Samsung afirma que la NAND de 20 nanómetros está siendo fabricada utilizando técnicas que luego también implementarán en la fabricación de la DDR4. En otras palabras: esta DDR3-20nm. apunta a ser el último paso previo a la fabricación masiva de DDR4, la cual se estima aparezca en el mercado a lo largo del segundo semestre del año. Y Samsung será una de las

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