Intel lo ha anunciado oficialmente. Norberto Mateos, director de consumo para la zona EMEA y director general de Intel España, ha confirmado que su compañía tiene la intención de consolidarse como el segundo mayor fabricante de semiconductores en el mercado global. A medio plazo alcanzar a TSMC, que tiene una cuota de mercado aproximada del 55%, es muy difícil (Intel se mueve en la órbita del 17 al 20%), pero, aun así, persigue competir de tú a tú con ella.
En esta coyuntura Intel ha depositado sus ojos sobre Samsung. Es evidente que un plan realista requiere prestar atención al competidor más cercano y dar los pasos necesarios para desmarcarse de él y superarlo. Y la estrategia IDM 2.0 (Integrated Device Manufacturing) que puso en marcha Pat Gelsinger lo es todo en este propósito. Como cabe esperar, Samsung no se ha quedado con los brazos cruzados. Después de un mal 2023 para su filial de semiconductores esta compañía se está preparando para encarar el futuro pertrechada con su mejor tecnología.
Samsung ha acelerado el desarrollo de sus transistores MBCFET de 2ª generación
Los planes de esta compañía surcoreana son tan ambiciosos como los de TSMC o Intel. En 2025 prevé introducir la fabricación a gran escala de chips utilizando su tecnología GAA (Gate-All-Around) de 2 nm, y en 2027 aspira a iniciar la producción de circuitos integrados GAA de 1,4 nm. Samsung inició la producción de chips GAA en su nodo de 3 nm de primera generación en junio del año pasado. Por el momento es el único fabricante de circuitos integrados que está produciendo chips GAA sobre la tecnología MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET sobre su nodo de 3 nm de segunda generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm
Antes de seguir adelante merece la pena que indaguemos brevemente en la tecnología GAA MBCFET sobre la que esta compañía surcoreana está estructurando su estrategia de semiconductores para los próximos años. El propósito de esta innovación es aventajar a la tecnología FinFET en un parámetro crucial: el rendimiento por vatio. Los circuitos integrados con transistores FinFET empezaron a fabricarse a gran escala a principios de la década pasada, por lo que es una tecnología madura que TSMC, Intel y Samsung conocen muy bien y no van a abandonar fácilmente. Aun así, en el futuro los transistores GAA reinarán.
Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET sobre su nodo de 3 nm de segunda generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm, un rendimiento un 30% más alto y un área un 35% más comedida. La estructura de los transistores GAA MBCFET es diferente a la de los transistores GAA convencionales, lo que, según Samsung, incrementa la corriente que fluye a través del transistor y requiere un menor voltaje de operación. En la práctica lo que persigue esta empresa es tener los mejores transistores de la industria en 2027, que será, como hemos visto, el año en el que esta innovación llegará a su nodo de 1,4 nm.
No obstante, esto no es todo. Para competir de tú a tú con Intel y TSMC, Samsung necesita poner encima de la mesa su mejor tecnología. Esta es la razón por la que según el medio surcoreano ZD Net Korea está acelerando el desarrollo de su tecnología MBCFET de segunda generación. Tanto, de hecho, que va a darla a conocer oficialmente, de nuevo según este medio, en el evento IEEE EDTM 2024 que va a celebrarse este mes.
Presumiblemente la segunda generación de esta tecnología rendirá aún mejor que su predecesora, lo que en teoría facilitará a Samsung el desarrollo de su litografía de 3 nm de segunda generación (SF3). Suena bien, aunque será interesante comprobar si su rendimiento por oblea está realmente a la altura.
Imagen | Samsung
Más información | DigiTimes Asia
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