Micron ha pisado el acelerador. Es difícil precisar el papel que va a tener su capacidad de innovación en su respuesta a las sanciones de China, pero no cabe duda de que está haciendo todo lo que está en su mano para incrementar su competitividad. Para poner en contexto la importancia de la innovación en el ámbito de la fotolitografía que acaba de anunciar Donghui Lu, que es el máximo responsable de Micron en Taiwán, nos viene bien repasar brevemente qué ha sucedido entre esta empresa y el Gobierno chino durante los últimos meses.
El pasado 31 de marzo la Administración del Ciberespacio de China (CAC por su sigla en inglés), que es el regulador chino de internet, inició una investigación con el propósito de auditar a esta empresa estadounidense. Sus sospechas se sostenían sobre la posibilidad de que los productos de Micron comprometiesen la seguridad de sus redes y la información crítica vinculada a la cadena de suministro de China, pero en la trastienda de todo esto se erigía la respuesta del Gobierno chino a las sanciones con las que EEUU está arremetiendo contra este país asiático.
Poco después de iniciar su investigación llegó la resolución de CAC que podíamos prever: Micron no podría continuar vendiendo sus chips DRAM a las empresas chinas. Para esta compañía estadounidense es un problema importante debido a que el 11% de sus ingresos procede del mercado chino, por lo que se comprometió a cooperar con CAC para resolver satisfactoriamente este conflicto. Hoy las sanciones mantienen su vigencia. Para Micron en esta coyuntura es crucial afianzarse en sus principales mercados, y la estrategia más eficaz consiste en incrementar su competitividad. Así es como lo está haciendo.
Micron ya prueba su litografía 1-beta DRAM en sus plantas de Taiwán
A finales del pasado mes de mayo y de manera simultánea a la entrada en vigencia de las sanciones de China, Micron anunció que invertirá 3.600 millones de dólares durante los próximos años con el propósito de poner a punto su litografía 1-gamma DRAM en su fábrica de obleas de Hiroshima, en Japón. Esta empresa utiliza desde hace varios años procesos litográficos muy avanzados para producir sus chips de memoria, pero la implantación de esta tecnología de integración la sumirá de lleno en la fabricación de circuitos integrados con los equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML.
Micron planea iniciar la fabricación masiva de chips DRAM con su tecnología de integración 1-gamma en 2025
No obstante, la punta de lanza de Micron no reside en Japón; está en Taiwán. De hecho, en 2022 instaló sus primeros equipos de litografía UVE de ASML en su planta A3 de Taichung (Taiwán). El plan de esta compañía es iniciar la fabricación masiva de chips de memoria DRAM con su tecnología de integración 1-gamma en 2025 tanto en Japón como en Taiwán, pero este último país va por delante. De hecho, como os he anticipado en el primer párrafo de este artículo, Donghui Lu ha confirmado que la filial de Micron en Taiwán ya ha iniciado las pruebas a gran escala de la litografía 1-beta DRAM.
Los principales competidores de Micron en el mercado global de los chips DRAM son las compañías surcoreanas SK Hynix y Samsung, aunque es esta última la que dispone desde hace varios años de los equipos de litografía de ultravioleta extremo que fabrica ASML. De hecho, Samsung es actualmente la única empresa capaz de competir de tú a tú con TSMC en el ámbito de las litografías de vanguardia. Intel ha prometido que se meterá en la liza con TSMC y Samsung no más allá de 2025, pero por el momento estas dos compañías son las que llevan la voz cantante. Y, sin lugar a dudas, si Micron lleva a buen puerto su plan competirá con las máximas garantías en un mercado extraordinariamente agresivo.
Imagen de portada: Micron
Más información: DigiTimes Asia
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