Huawei reconoce las dificultades que tiene para fabricar chips de 3 nm. Y también que la ambición de China dará un frenazo

  • El 'multiple patterning' compromete el rendimiento por oblea y el coste de los semiconductores

  • Los equipos de litografía ideales para fabricar chips de 7, 5 y 3 nm son las máquinas UVE a las que China no tiene acceso

Semiconductores Ap
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La técnica que están utilizando Huawei y SMIC para fabricar circuitos integrados de 5 y 7 nm empleando los equipos de litografía de ultravioleta profundo (UVP) de ASML es una solución de compromiso. Hemos hablado del multiple patterning en muchos artículos, pero merece la pena que en este repasemos brevemente de qué se trata antes de meternos en harina. A grandes rasgos consiste en transferir el patrón a la oblea en varias pasadas con el propósito de incrementar la resolución del proceso litográfico.

Presumiblemente los semiconductores de 5 nm los están fabricando empleando una técnica que refina los procesos utilizados en el multiple patterning convencional. Se llama SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning), y no es más que un multiple patterning más agresivo y sofisticado que el utilizado para fabricar el SoC Kirin 9000S de 7 nm. El problema es que estas dos técnicas de producción de semiconductores distan mucho de ser las ideales para maximizar la competitividad de los procesos de fabricación de circuitos integrados.

Y es que estas dos estrategias comprometen el rendimiento por oblea y el coste de los semiconductores. Para fabricar chips de 7, 5 y 3 nm lo ideal es utilizar los equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) que produce la compañía neerlandesa ASML, pero las sanciones aprobadas por los Gobiernos de EEUU y Países Bajos impiden a los fabricantes chinos de semiconductores acceder a ellos. Gracias al multiple patterning y a la técnica SAQP, SMIC y Huawei están fabricando chips de vanguardia, pero en absoluto en las condiciones idóneas.

Huawei reconoce que el esfuerzo de China ya podría haber alcanzado su valor máximo

Zhang Ping’an, el director general de la filial de Huawei dedicada a los servicios en la nube, ha hecho unas declaraciones muy interesantes durante la celebración de la Conferencia de Redes Móviles que ha tenido lugar en Suzhou (China). En realidad lo que ha hecho es identificar algo que ya sabíamos, como hemos comprobado en los párrafos anteriores, pero lo sorprendente es que un alto cargo de Huawei reconozca públicamente lo mucho que les está costando fabricar semiconductores de vanguardia.

"TSMC está incrementando su suministro de semiconductores de 3 nm. Sin embargo, bajo las sanciones estadounidenses China no tiene ninguna forma de asegurarse estos productos"

"La empresa taiwanesa TSMC está incrementando su suministro de semiconductores de 3 nm. Sin embargo, bajo las sanciones estadounidenses China no tiene ninguna forma de asegurarse estos productos [...] Afortunadamente hemos logrado solucionar el problema de los 7 nm, pero la realidad es que no podemos acceder a los equipos de fabricación avanzada debido a las sanciones de EEUU y necesitamos encontrar la forma de utilizar con eficacia los semiconductores de 7 nm", apuntó Zhang Ping’an durante el evento.

Esta declaración contiene dos ideas que merece la pena que no pasemos por alto. La primera es que este ejecutivo enfatiza la necesidad de maximizar la utilización de los chips de 7 nm fabricados por Huawei y SMIC, probablemente debido a que son más competitivos que sus circuitos integrados de 5 nm. Y por otro lado está reconociendo las dificultades a las que se enfrentan a la hora de producir semiconductores de 3 nm sin tener acceso a los equipos de litografía UVE. En estas circunstancias los chips equiparables de TSMC son mucho más competitivos, por lo que SMIC y Huawei van a tenerlo muy difícil si aspiran a vender sus circuitos integrados más avanzados más allá de las fronteras de China.

Imagen | TSMC

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