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Intel 20nm NAND memory

La guerra actual en el mercado de los chips de almacenamiento está dirigida por los capitanes Intel y Samsung, quienes libran una dura batalla por ver quién lo tiene más pequeño. Hablo de los nanómetros, claro.

Hace unos meses, allá por abril, Samsung anunció su entrada en el mundo de los 20 nanómetros en chips de memoria utilizados en tarjetas SD. Y esta semana ha sido Intel quien, en un contraataque pensado con mucha calma – las mejores luchas han sido históricamente muy bien estudiadas de antemano – ha presentado sus chips NAND en 20 nanómetros.

Intel 20nm NAND memory

Este tipo de memoria NAND MLC se construirá en hasta 128 GB, el doble de lo que ofrecía Samsung actualmente, y permitirá conseguir hasta 1 TB de memoria flash en un tamaño de una huella dactilar, según palabras de Intel. Está pensada, obviamente, en sistemas de almacenamiento integrados (para teléfonos móviles, tablets, etc.), SSD y equipos de alto rendimiento. Supone un gran avance respecto de los 25 y 34 nanómetros usados ampliamente en la actualidad al aportar un mayor rendimiento y unos consumos energéticos más pequeños.

Lo más probable es que esta nueva NAND de 20 nanómetros de Intel empiece a utilizarse en los SSD de la marca a lo largo de 2012 y que traigan, además, precios más ajustados con capacidades máximas aún mayores.

Más información | Intel.

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