Por ahora restringido sólo a equipos profesionales muy punteros, claro, y nada de ordenadores domésticos. Lo va a conseguir Intel, quien está trabajando en una nueva placa base profesional que llegará a ese terabyte de memoria RAM.

La placa base tendrá cuatro sockets LGA2011 y se la conoce con el nombre de S4600LH. Estará preparada para los nuevos procesadores Xeon de ocho núcleos, haciendo un sorprendente total de 32 núcleos físicos. Cada procesador vendrá acompañado de doce slots para memoria RAM DDR3, haciendo un total de 48 zócalos de memoria disponibles. Sabiendo de la existencia de módulos RAM DDR3 de 32 GB, la Intel S4600LH podrá alcanzar 1.5 TB de memoria RAM, una cifra bárbara.

Evidentemente esta cifra es una cota superior de lo que se puede alcanzar con la tecnología actual, y en la mayoría de los casos no se alcanzará tal cantidad de memoria. Aún así, ¿por qué no soñar? Se trata de una placa base en formato rack y pensada para ofrecer una altísima potencia en aplicaciones de cálculo intensivo, como podría ser simuladores, cálculo matemático, renderizado, etc. Ya sabéis, el “otro” mundo de la informática.

Ya sabéis que todas estas novedades que primero llegan a los ordenadores más punteros del mundo terminan alcanzando nuestros hogares un tiempo más tarde. Ahora os toca a vosotros: ¿cuándo creéis que nuestros ordenadores domésticos alcanzarán 1 TB de memoria RAM?

Vía | VR-Zone.

Creía que aún tardaríamos unos meses (o años) en ver esta nueva tecnología, denominada en forma abreviada HMC y que trajeron Intel y Micron hace unos meses. Nosotros ya le dedicamos un especial a Hybrid Memory Cube, definiendo sus características, funcionamiento y las mejoras que podría traer a nuestros ordenadores.

Ahora es IBM quien ha dado el paso y ha anunciado que colaborará fabricando HMC a partir de ya mismo, mediante técnicas que han presentado ante la IEEE. La gran incógnita que tenemos a partir de ahora es saber cuándo estarán disponibles los primeros chips de memoria, pues ni IBM, ni Micron ni la propia Intel (que recuerdo también está metida en este asunto) han mencionado nada al respecto. Teniendo en cuenta que la fabricación empieza ahora, quizá para 2013 empiecen a llegar al mercado profesional y para 2014 o 2015 las tengamos en nuestros ordenadores personales domésticos. Ojala me equivoque y tengamos que esperar mucho menos.

En la actualidad, al menos bajo las primeras pruebas y los desarrollos teóricos, Hybrid Memory Cube promete quince veces el rendimiento actual, una cifra endiablada y soñada por muchos en parte gracias a las mejoras en el ancho de banda disponible, que pasa a ser de unos 128 GB/s. Por si esto no fuera poco, viene acompañada de un tamaño mucho menor (dicen que un 90% menos) e incluso consumiendo menos energía (en torno a un consumo un 70% más pequeño). HMC será utilizada para los módulos de memoria RAM del futuro.

Un desarrollo muy interesante y que está más cercano de lo que pensábamos. Probablemente en los próximos meses empecemos a conocer mucho más sobre Hybrid Memory Cube, que con toda seguridad será un hito histórico en el mundo del hardware.

Más información | IBM.

Existe un grupo de usuarios que siempre buscan la máxima potencia en cada uno de los componentes de su ordenador. Si éste es un portátil generalmente tendremos que restringir nuestras posibilidades de ampliación o mejora: por ejemplo, el procesador y placa base difícilmente podrán cambiarse, así como la refrigeración y la carcasa externa. Nos limitaremos, principalmente, a mejorar almacenamiento y memoria RAM.

Precisamente sobre la última categoría queremos hablar hoy. Corsair ha anunciado la llegada al mercado de los módulos de memoria Vengeance SO-DIMM, de tipo DDR3 y con el tamaño necesario para funcionar en equipos portátiles. Se trata de memoria de gama alta que sólo se distribuirá en módulos de 4 GB y en tres packs: un módulo a 1866 MHz., dos módulos (total de 8 GB) a 1600 MHz. y el último y más potente, formado por dos módulos (total de 8 GB) a 1866 MHz.

El precio de estas Corsair Vengeance SO-DIMM aún no ha sido anunciado, pero se espera que sea bastante elevado. Si ya son caras las memorias SO-DIMM para portátil, una gama alta y de marca como son estos módulos Corsair debería estar en lo alto de la tabla de precios de cualquier distribuidor. Deberían llegar a las tiendas a lo largo de las próximas semanas, si bien no hay ninguna confirmación de este aspecto y quizá tengamos que esperar a su presentación oficial en el CES 2012 a principios de enero.

Una interesante opción para los que quieran unas memorias RAM para portátil punteras, aunque mejor que vayan haciéndose una idea de que supondrán un fuerte desembolso económico.

Vía | VR-Zone.
Más información | Corsair.

Justo ayer hablábamos de ello y hoy mismo se ha hecho realidad. AMD Memory es el nombre de la memoria RAM que utilizará la marca AMD para venderla como hace cualquier otro fabricante.

AMD Memory estará fabricada por Patriot y licenciada por VisionTek. La información oficial no dista mucho de la que ofrecimos ayer: habrá tres gamas de RAM denominadas Entertainment, Performance y Radeon ordenadas de menor a mayor rendimiento, siendo en todos los casos de tipo DDR3 y con frecuencias de 1333, 1333 o 1600 y 1866 MHz., respectivamente. Como esperábamos, el modelo más puntero incorporará de serie un disipador pasivo mientras que las otras dos gamas podrán montarlo de forma opcional.

Además de para memorias RAM el fabricante también quiere que AMD Memory sea el nombre que incluyan los módulos de memoria de sus tarjetas gráficas, quizá más a modo de imagen para posicionar la marca que como algo realmente necesario. Curiosamente relacionado con esto se han estado barajando desde hace unos meses la llegada de memoria XDR2 a las futuras AMD 7900 Series (más en Guru3D y TweakTown), la gama alta de la nueva generación de tarjetas gráficas cuya presentación está prevista para los primeros meses de 2012. También se dice que existirán alternativas idénticas pero con GDDR5, más asequibles pero también algo menos potentes. AMD 7970 con 2 GB AMD Memory XDR2, ya veréis.

Volviendo al tema de la presentación de AMD Memory, su llegada por ahora sólo afecta a Estados Unidos y a ciertos distribuidores muy concretos de Reino Unido, con lo que aún no tenemos la disponibilidad en España. Se venderán versiones de 2, 4 y 8 GB de cada una de las gamas por precios que aún no han sido determinados.

En Xataka México | AMD Memory, la memoria RAM oficial de AMD es una realidad.

Más información | AMD.

En un mercado actualmente liderado por fabricantes con muchos años a sus espaldas, AMD quiere entrar y llevarse un trocito de pastel. ¿Cuánto será capaz de cortar? Eso ya lo veremos más adelante, claro, puesto que ahora mismo sólo podemos hablar de los hechos más cercanos.

Memoria RAM fabricada por AMD, con etiqueta AMD y en tres gamas distintas: Entertainment, Performance y AMD Memory Radeon Edition que ofrecerán distintas frecuencias de funcionamiento (1333, 1333-1600 y 1866 MHz., respectivamente) siendo en todos los casos de tipo DDR3. Cabe destacar la gama más alta, esa que denominan Radeon Edition y que podría llegar con sistemas especiales de disipación que serían opcionales en las otras dos familias. Aún no hay confirmación de este punto.

Actualmente AMD ya ha realizado diversos estudios de mercado para determinar si existe un público interesado en sus memorias, y por lo que dicen los resultados son satisfactorios. El lado negativo es que, como viene siendo habitual, al ser memorias de marca es bastante probable que sean algo caras, y además lo lógico es pensar que no serán las mejores del mercado, puesto que de serlo podría suponer un problema en la relación de AMD con otros fabricantes como Kingston, Corsair, OCZ, Patriot y demás que lo podrían entender como un conflicto de intereses.

Este rumor lleva ya varios meses gestándose (de hecho hay gente que dice que se pusieron a la venta, si bien la web oficial aún no indica nada al respecto) y, de ser cierto, seguramente las veamos en el mercado en el CES 2012 en kits de 2, 4 y 8 GB y por supuesto con una cierta orientación hacia sistemas AMD. ¿Se llevarán bien con los últimos AMD FX y mejorarán su rendimiento?

En Xataka |
Vía | CHW
Más información | Icrontic

Ya sabéis que la nueva plataforma Intel Sandy Bridge E, que llegará al mercado en los próximos meses, trae como una de sus novedades la inclusión de la tecnología de memorias Quad Channel. Evidentemente es una evolución del Triple Channel de los Core i7, que a su vez mejoró lo que ofrecía el Dual Channel mucho más común y utilizado en la práctica totalidad de equipos del mercado.

Quad Channel, y en general todas estas tecnologías, permiten optimizar el uso de los diferentes módulos de memoria RAM instalados en un equipo reduciendo sus tiempos de latencia al enviar la información a la RAM hacia varios módulos, y no todo al mismo. Por ello es muy recomendable utilizar tantos módulos RAM como canales de memoria permita nuestra placa base. En el caso de Sandy Bridge E tendrán, al menos, 4 zócalos, aunque también habrá modelos con 8 zócalos. Si a cada uno de estos ocho zócalos (una cantidad inimaginable hace unos años en un equipo doméstico) le instalamos módulos RAM de 8 GB el resultado es sensacional: 64 GB RAM DDR3 en un ordenador.

Así como nace una pequeña demostración de Kingston, que como ya sabréis es fabricante de memoria RAM entre otros componentes y dispositivos, y con quien ya vivimos en persona cómo funcionaba un ordenador con 24 GB RAM, vídeo incluido. Estamos hablando de el triple de memoria, y en torno a ocho veces más lo común en un equipo actual.

¿Para qué? Quizá lo más representativo es que se trata de una demostración práctica por parte de Kingston para poder promocionar de lo que son capaces. En el ámbito doméstico tiene poca utilidad, ya que las aplicaciones que usamos a diario funcionan igual de bien con cuatro que con ocho o doscientos GB de memoria. En cambio, ésto puede ser muy útil para trabajar, para empresas que manejen imágenes de enormes dimensiones (hablamos por ejemplo de una imagen de un tamaño de varios gigabytes), vídeos, renders, etc.

Actualmente lo más común es encontrar nuevos equipos con 4 o 6 GB de memoria, dependiendo de si son Dual Channel o Triple Channel, aunque ya los hay de 8 y 12 GB (por la misma razón). Está claro que la RAM nunca será suficiente y seguirá creciendo más y más. Llegaremos a los 16 GB (será bastante común en Sandy Bridge E, 4×4GB), 24, 32, 48 y 64.

Y más adelante mucho más, claro. Por cierto, el precio de los 64 GB RAM del equipo de pruebas de Kingston es desconocido, y de hecho no he encontrado ningún módulo comercial para equipos domésticos, si no con usos profesionales: la propia Kingston tiene en el mercado módulos de 8 GB DDR3 ECC (Error-correcting code memory, módulos RAM con capacidad de autocorregir ciertos errores de forma eficiente) que salen a 76 dólares (en Newegg) cada uno de los módulos en sus versiones más baratas.

PD: que una placa base soporte Quad Channel no significa que haya que aprovecharlo siempre. Si sólo se utilizan dos de los zócalos automáticamente se estará aprovechando Dual Channel, y si son tres entonces será Triple Channel. Tampoco es una obligación para hacer que el equipo funcione, ni mucho menos, pero ya sabéis cómo nos las gastamos los geeks intentando aprovechar todo al máximo.

En Xataka | Así vivimos el funcionamiento de 24 GB de memoria DDR3 Kingston HyperX: brutal.
Vía | Anandtech

Todos los computadores actuales utilizan memoria para almacenar información y luego procesarla. Este hecho es inherente a la condición de que una computadora sigue la Arquitectura de von Neumann, formada por unidad de proceso, unidad de memoria y unidad de entrada/salida, entre otras. Con el paso de los años se han añadido otros componentes, se han miniaturizado y evolucionado hasta lograr lo que tenemos en nuestras casas.

La Arquitectura de von Neumann ha sido, es y seguirá siendo la base de cualquier computador durante muchos años, pero necesita evolucionar y adaptarse a los tiempos modernos. Por aquí ya hemos hablado múltiples veces de la locura del mundo del hardware – Microprocesadores Intel de 8 núcleos para otoño, el mundo del hardware se ha vuelto loco – que en ocasiones duplica el rendimiento en unos pocos años de vida. Todo, repito, todo tipo de tecnología necesita evolucionar.

Estas evoluciones suponen, generalmente, un avance significativo pero no increíble, aunque de vez en cuando hay alguna excepción. Pasó con los SSD hace unos años y lo próximo será la Intel Hybrid Memory Cube que desmenuzamos a continuación.

La necesidad de mejorar la memoria

Las CPU avanzan a pasos agigantados, las GPU también lo hacen. El almacenamiento duplica su rendimiento cada dos años y mejora sus capacidades, e incluso hasta las placas base utilizan materiales cada vez más resistentes y eficientes. Y todo esto con un consumo energético que cada vez es menor.

Arquitectura de von Neumann, vía Wikipedia

Pero hay un componente que, en palabras de Intel, está cerca de llegar al límite: la memoria DRAM. Es cierto que sigue evolucionando (DDR1, DDR2 y DDR3 en la actualidad, DDR4 en un futuro) pero podría tener los años contados si el Hybrid Memory Cube tiene éxito. La razón es la estructura bidimensional de los módulos de memoria que requiere de lentos sistemas de conexión entre los diversos chips de memoria para interactuar entre ellos. “Lento”, entrecomillado, pues permite unos cuantos millones de lecturas de ceros y unos por segundo.

Así pues, ya tenemos uno de los componentes a mejorar: la memoria RAM y su estructura física. Necesitamos cambiar cómo está distribuida la estructura de la memoria, optimizándola y logrando un mejor rendimiento.

Nace Hybrid Memory Cube.

Hybrid Memory Cube, de Intel y Micron

Hybrid Memory Cube está siendo desarrollada por Intel y Micron desde hace algunas meses. A día de hoy tienen algunos prototipos funcionales con los que han conseguido tasas de transferencia de 1 Terabit por segundo (unos 128 GB/s) y minimizar el impacto energético hasta en siete veces, lo cual se dice pronto pero es una diferencia increíble. Intel dice que ya han conseguido prototipos de Hybrid Memory Cube diez veces más rápidos que DDR3

¿En qué consiste Hybrid Memory Cube? Lo intentaremos explicar de forma sencilla.

La memoria actual utiliza un buffer que es como un cajón por donde pasa todo el contenido que la memoria ha de tratar. Una vez que la información está en ese buffer cada chip de memoria se encarga, por su propia cuenta, de seleccionar qué información coger y almacenar. Esto es lo que tenemos que cambiar.

Supongamos ahora que en vez de tener los chips de memoria uno junto a otro los apilamos todos juntos, de forma que estén muy cerca, uno encima de otro, y puedan comunicarse muy rápidamente entre ellos. Tenemos una pequeña montaña de chips de memoria en bruto, una especie de torre de chips.

La idea de Intel, además de modificar la estructura bidimensional de la memoria (que los chips estén uno al lado del otro) y cambiarla a una tridimensional (chips montados uno encima del otro) es añadir una capa encargada de operar con la información de entrada y enviarla a cada chip de memoria. Nos olvidamos de que los chips de memoria tengan que buscar qué información almacenar, ahora habrá una capa que estará encargada de mandarles la información. Nos quitamos que ellos la busquen, nosotros se la damos. Bueno, la capa de lógica se la da.

Un símil interesante es un niño que va a buscar gominolas al kiosko. El niño simplemente quiere gominolas, le da igual cuáles, y en vez de estar el recogiéndolas de las estanterías de la tienda es el kioskero quien se las da. Por ahí van los tiros.

Mejoras de Hybrid Memory Cube

La mejora está clara: el niño no pierde el tiempo viendo qué chuches son las que más le interesan, porque él lo que quiere al fin y al cabo son gominolas. El niño quiere azúcar y el kioskero le da azúcar mucho más rápido.

En Hybrid Memory Cube ocurre algo similar. Intel y Micron añaden un intermediario que es el encargado de la gestión de la RAM, a dónde va cada grupo de bits que se quiere almacenar en cada momento.

Así que ya tenemos la mejora planteada. Sobre el papel y con el ejemplo de las chuches y el mocoso que perderá los dientes en unos años puede parecer sencillo, aunque lógicamente en la realidad es mucho más complejo. No obstante, la idea es esa y con ella Intel afirma haber conseguido cifras excelentes, en torno a lo ya comentado anteriormente: transferencias de 1 Tbit por segundo y, lo que es más interesante aún, mejorar la eficiencia energética en torno a siete veces. Desde Micron afirman que pueden conseguir un ancho de banda quince veces mayor que el de la RAM actual, un rendimiento veinte veces mayor y algo a lo que generalmente no se le da la suficiente importancia, un 90% menos de espacio físico .

Hybrid Memory Cube, un logro para el futuro

De ser ciertos todos estos datos podríamos estar hablando de uno de los grandes hitos en la evolución de los computadores en su corta historia de unos cincuenta años. Un hito comparable a la evolución de los procesadores multinúcleo o al almacenamiento flash en comparación con lo procesadores mononúcleo o el almacenamiento magnético.

Hybrid Memory Cube es, a día de hoy, un proyecto en desarrollo con una pinta interesantísima, pero prototipo al fin y al cabo. No hay fechas previstas de lanzamiento, ni mucho menos, y todo lo que podemos afirmar es que llegará algún día. Quizá dentro de cinco o diez años, tal vez veinte.

Y una vez que empiecen a venderse las primeras unidades que utilicen el modelo Hybrid Memory Cube, éstas serán excepcionalmente caras y orientadas al sector profesional, pero siempre ocurre esto: los grandes logros tecnológicos primero han llegado a las grandes empresas para luego ir descendiendo hasta llegar al mercado doméstico. Y así será con HMC.

Más información | Intel y Micron, y una escueta pero interesante lectura en Anandtech.

De Corsair todos los usuarios de Mac conoceréis sus memorias específicas para equipos Apple, las cuales ya llevan varios años rondando las tiendas, al menos con algunos modelos antiguos. Son memorias de cierto éxito, ya que hay gente que las necesita para actualizar la RAM de su ordenador con manzana como logotipo.

Dejando de lado esta falacia, Corsair ha introducido nuevos modelos de memoria RAM para Mac en el mercado. Se trata de módulos RAM DDR3 que llegan en dos kits de 4 y 8 GB, siendo el primero un único módulo y el segundo dos unidades, ideales para actualizar completamente la memoria de los equipos más actuales. Su frecuencia de funcionamiento es de 1.066 MHz. y en todos los casos hablamos de unas latencias 7-7-7-20 y 1.5 voltios.

Basándome en pruebas personales bajo mi querida pequebooka (un Macbook 2,1) tengo que decir que este tipo de memorias son como cualquier otra RAM, aunque desde Corsair indican que están probadas mediante herramientas de la propia Apple. La realidad es que los Mac, al igual que cualquier ordenador del mercado – al menos del ámbito doméstico – utilizan componentes estandarizados que han de ser todos iguales. Es decir, que la memoria RAM de un MacBook y la de un Dell Vostro V131 (por citar un PC cualquiera) es esencialmente la misma, exceptuando quizá ciertos cambios menores a nivel muy técnico y profundo que apenas tendrán repercusión en el rendimiento final del equipo.

Corsair asegura que sus memorias RAM para Mac son compatibles con todos los equipos del mercado que hagan uso de módulos SODIMM, esto es los pequeños: MacBook, MacBook Pro, Mac Mini, iMac e incluso Mac Pro, aunque siempre pensé que estos últimos sólo utilizan los módulos DIMM, es decir, los que son algo más largos y que históricamente han sido utilizados en equipos de sobremesa.

Los precios son oficialmente desconocidos, pero ya están disponibles en algunas tiendas online españolas. El pack de dos módulos y 8 GB en total, modelo CMSA8GX3M2A1066C7 se sitúa en torno a los 50 euros, mientras que el otro no he conseguido encontrarlo.

Vía | HotHardware.
Más información | Corsair.

AMD amplia sus operaciones a un sector íntimamente relacionado con su mayor campo de experiencia, los procesadores, pero en el que nunca antes había entrado, el de los DIMM de memoria RAM.

La compañía responsable de la arquitectura X86 acaba de comenzara a comercializar sus primeros módulos de memoria, pertenecientes a una familia denominada ‘Entertaiment’. Se trata de DIMM a 1333Mhz con una letancia de 9-9-9 que ya pueden comprarse, con el logotipo de Radeon bien visible, en las tiendas de Japón por unos 20 dólares al cambio (2GB).

No serán los únicos. La compañia tiene previsto lanzar otra familia de memorias de alto rendimiento bajo la denominación ‘Ultra Pro Gaming’. Estos módulos correrán a 1600Mhz (11-11-11) aunque todavía no hay fecha de salida para ellos.

Por último, AMD lanzará una tercera familia de memorias de categoría ‘Enterprise’ aún más potentes y destinadas al público empresarial. De estas aún no se conocen ni especificaciones, pero la competencia siempre es bienvenida, sobre todo si procede de una marca con la experiencia de AMD en componentes.

Vía| TechConnect Magazine

Seguro que los nanómetros os sonarán de cuando hablamos de procesadores y tarjetas gráficas. Son una medida fundamental en cualquier componente actual, ya que a gracias a la evolución la composición interna se va haciendo más pequeña y supone un conjunto de mejoras: menos calor generado, menor consumo y a la vez un rendimiento algo mayor.

Samsung ha conseguido recientemente llegar a memorias RAM en 30 nanómetros, suponiendo una cierta ventaja respecto de anteriores modelos de RAM que estaban fabricadas en 40, 50, 60 y incluso hasta 80 nanómetros. Ésto tendrá las clásicas repercusiones que avanzábamos anteriormente, como el menor consumo energético – y por tanto una mayor autonomía en equipos portátiles – y también menos calor y algo más de rendimiento. También se mejorarán las capacidades de la memoria RAM, con lo que no sería descabellado empezar a ver módulos de 8 y 16 GB dentro de poco tiempo. ¿Poco? Bueno, tampoco seamos tan optimistas: a lo largo de los próximos años. Por ahora han confirmado que pondrán a la venta un módulo de 4 GB DDR3 en 30 nanómetros y destinado a ordenadores portátiles. Por ahora no hay detalles sobre módulos para sobremesas.

También hay que remarcar que la RAM DDR4, la nueva generación, lleva ya varios años de investigación y se espera que las especificaciones técnicas estén completas a finales de 2011, con lo que posiblemente llegue al mercado a finales de 2012 o ya en 2013. De hecho es la propia Samsung una de las principales empresas investigadoras en la futura nueva generación de memoria de acceso aleatorio.

En Xataka | Módulos de memoria RAM de Samsung de 32 GB para alcanzar un nuevo límite.
Vía | Electronista.
Más información | Samsung.