¿Módulos de 128 GB DDR4 de RAM? Ya son una realidad y vendrán de la mano de Samsung

¿Módulos de 128 GB DDR4 de RAM? Ya son una realidad y vendrán de la mano de Samsung
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Todavía tardarás en poder empezar a verlas en tu ordenador portátil o de sobremesa, pero los módulos de 128 gigabytes de memoria RAM DDR4 ya son una realidad. Vendrán de la mano de Samsung, que ha anunciado que ha empezando a fabricarlos en masa pensando no tanto en los equipos domésticos como en los servidores empresariales.

Estos módulos utilizan la tecnología de conexión through silicon via o TSV, que conecta verticalmente los chips DRAM mediante electrodos que penetran en cientos de pequeños orificios en vez de a través de cables. Samsung ya utilizó esta tecnología el año pasado para sus módulos de 64 gigas, y este año dobla su capacidad para ofrecerle mayores velocidades y una mejor eficiencia a las empresas.

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Samsung a por el sector empresarial

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Joo Sun Choi, vicepresidente ejecutivo de Samsung Electronics, ha manifestado su satisfacción por poder ofrecerle a sus socios y clientes unos componentes con los que ayudarles a crear una nueva generación de soluciones empresariales. Estas, según Sun Choi, "mejorarán dramáticamente la eficiencia y la escalabilidad para sus inversiones"

Los módulos TSV DDR4 RDIMM de 128 GB están compuestos por un total de 144 chips DDR4, organizados en 36 secciones de 4 GB DRAM, cada una de ellas con cuatro chips de 8 gigabits y 20 nanómetros ensamblados mediante la tecnología TSV. El resultado son unos módulos que ofrecen velocidades de 2.400 Mbps.

Lo que Samsung no ha dicho es cual será el precio de sus nuevos módulos, aunque ya nos podemos imaginar que no será bajo. Después de todo, como hemos dicho al principio estos no son componentes dirigidos a los usuarios convencionales, sino a aquellas empresas que necesitan potenciar al máximo sus servidores y grandes datacenters.

En la empresa surcoreana ya han dicho que no se quedarán aquí. Asegura que su nuevo chip dobla el rendimiento y reduce a la mitad el consumo de los chips de 64 gigas con enlaces cableados convencionales, y que seguirá mejorando la eficiencia de sus TSV DRAM marcándose como objetivo alcanzar velocidades de entre 2.667 y 3.200 Mbps.

Vía | Samsung
Imagen | Eric Hamiter
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