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La nueva memoria de Samsung es siete veces más rápida y con doble ancho de banda que GDDR5

La nueva memoria de Samsung es siete veces más rápida y con doble ancho de banda que GDDR5
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Samsung ha arrancado el 2016 con fuerza, principalmente la división encargada de la fabricación de chips, ya que hace unos días confirmaba que serían los encargados de fabricar en exclusiva el Snapdragon 820 de Qualcomm, y de acuerdo a rumores están por cerrar un acuerdo de colaboración con AMD, pero ahora anuncian que han empezado con la producción de sus nuevos chips de memoria.

La importancia de esto radica en que no se trata de una simple actualización a los chips de memoria, sino que estamos ante un avance que nos pone ante un escenario donde cada chip será capaz de proporcionar una velocidad de hasta 256 GBps (sí, gigabytes), es decir, siete veces más rápido y con el doble de ancho de banda por vatio que los chips GDDR5.

Módulos HBM2 para la próxima generación de gráficos y servidores

Mientras esperamos por GDDR6, Samsung empezará en breve la fabricación de sus nuevos módulos HBM2, la segunda generación de la interfaz High Bandwidth Memory creada por AMD con un diseño 3D, se basan en la tecnología de producción de 20 nanómetros y están dirigidos principalmente al mercado de los servidores y al de las tarjetas gráficas.

4gb Hbm2 Dram Structure Main

Nvidia y AMD serían dos de las compañías que se beneficiarían de estos chips, al crear tarjetas con una importante reducción en el consumo de energía y de tamaño, pero sobre todo, un incremento considerable en el rendimiento, algo que podríamos ver en las NVIDIA Kepler y AMD FirePro de gama alta.

Samsung estará fabricando módulos de 4 GB con cuatro capas de núcleos de 8 Gb, pero también habrá módulos de 8 GB que se comercializarán a finales de este año.

Más información | Samsung

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