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Crossbar Memory

Una nueva tecnología para la fabricación de chips de memoria podría suponer un salto cuantitativo enorme para este segmento. La tecnología logra densidades mucho más altas que las de los chips DRAM y velocidades de transferencia comparables.

No solo eso: estos chips son también mejores en el apartado de la eficiencia energética, lo que las hace sustitutas naturales tanto de las memorias Flash como de las memorias DRAM.

Wei Lu, uno de los creadores de la tecnología y fundador de la empresa Crossbar, afirma que esta tecnología “será mucho más densa y rápida que las memorias flash porque no se basa en mover electrones en transistores“.

Una densidad prometedora para el mercado móvil

Los primeros chips de demostración de memoria de Crossbar están siendo fabricados por TSMC, y según sus responsables la actual versión de la tecnología permite almacenar 1 TB de datos en un chip de 200 mm cuadrados, el área de un sello de correos, aproximadamente.

En comparación, Micron presentó en mayo el chip con la densidad de memoria más alta de la actualidad en memorias tradicionales: 16 GB en 144 mm cuadrados.

En las memorias Crossbar se hace uso de estructuras a nanoescala con dos capas de electrodos que se sitúan de una forma muy peculiar y que permiten almacenar los datos en las uniones usando un material basado en silicio en lugar de materiales más exóticos utilizados en el pasado en desarrollos en este segmento.

Esta tecnología se sitúa como una alternativa perfecta y con más longevidad que la de las memorias basadas en arquitecturas 3D según algunos analistas: tanto esas memorias 3D como las Crossbar y las memristor parecen destinadas a revolucionar un segmento al que le vendrán de perlas la aplicación práctica de estos desarrollos.

Vía | MIT Technology Review
En Xataka | HP prepara los sustitutos de los transistores en electrónica

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