Samsung entra en la barrera de los 30 nanómetros

WhisKiTo 24 de octubre de 2007 2 comentarios

Samsung Flash

SaDPT, o self-aligned double patterning technology es la nueva tecnología de Samsung con la que pretende comenzar a fabricar memorias NAND (flash) utilizando tecnología de 30 nanómetros en vez de los actuales 45.

Ésto implicaría que, en chips del mismo tamaño que los actuales cabría una mayor cantidad de información, o de otro modo podrían fabricarse dispositivos con mejores características en un tamaño más reducido.

A su vez, Samsung ha informado que en esta SaDPT utilizarán herramientas fotolitográficas en la fabricación de los circuitos electrónicos, con las que podrán mantener los actuales precios de producción y de esta forma mantener también los precios de venta al público.

Según la compañía, preténden comenzar a poner en el mercado chips de 32 y 64 GB 32 y 64 G-bits de memoria con esta tecnología de 30 nanómetros en el año 2009.

Vía | PcWorld.

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Tags: samsung, flash, nand, 30 nanómetros

Comentarios

  • 1 Avatar
    insidetronics
    ↓

    Son 32Gbit y 64Gbit, no gigabytes como sugiere la B mayúscula. Es decir, cada chip contendrá 4GB y 8GB respectivamente. Esto supone multiplicar por 4 el máximo actual. Por ejemplo, los que ahora mismo se están incorporando en el iPhone son de 2GB por chip de silicio. Eso sí, empaquetan hasta 4 chips en un solo encapsulado, llegando hasta los 8GB. 64GB en un solo chip sí que hubiera sido un avance realmente espectacular…

    25 oct 2007 09:42 Permlink
    normal

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